Samsung Electronics Co. заявила в четверг, что начала массовое производство 3-нанометровых полупроводников, усилив свои позиции на самом передовом технологическом узле производства микросхем и обойдя своего конкурента и лидера отрасли TSMC.
3-нм чипы следующего поколения построены на технологии Gate-All-Around (GAA), которая, по словам Samsung, в конечном итоге позволит уменьшить площадь до 35 процентов, обеспечивая при этом повышение производительности на 30 процентов и снижение энергопотребления на 50 процентов по сравнению с существующими FinFET.
Samsung заявила, что первое поколение 3-нм технологического узла обеспечивает уменьшение площади на 16 процентов, повышение производительности на 23 процента и снижение энергопотребления на 45 процентов.
Крупнейший в мире производитель чипов памяти сотрудничает со своими партнерами, включая немецкую технологическую фирму Siemens и американскую компанию по разработке кремниевых элементов Synopsys, которые являются членами Samsung Advanced Foundry Ecosystem (SAFETM), с третьего квартала прошлого года,чтобы предоставить клиентам foundry инфраструктуру проектирования микросхем и другие услуги.
