News
SK Hynix разрабатывает новую передовую технологию производства DDR4 DRAM
12.11.2018 в 09:33
Stilet
184

SK Hynix разрабатывает новую передовую технологию производства DDR4 DRAM. SEOUL, 12 ноября — SK hynix Inc. сообщила в понедельник, что разработала технологию второго поколения для DDR4 DRAM с лучшей производительностью и повышенной энерго эффективностью.
Второй по величине Производитель чипов Южной Кореи заявил, что завершил разработку 8 GB DDR4 DRAM, применив новую технологию производства. Процесс второго поколения может похвастаться 20-процентным повышением производительности при потреблении на 15 процентов меньше энергии, говорится в сообщении компании.

Компания заявила, что планирует начать массовое производство с помощью новой технологии в первом квартале 2019 года, утверждая, что чипы могут удовлетворить производительность и мощность, востребованную в отрасли.

SK Hynix также сообщила, что новый продукт может похвастаться скоростью до 3200 Мбит / с, что является самым быстрым поддерживаемым стандартом DDR4.

Чипмейкер сказал, что он применил четырехфазную технологию синхронизации, которая удваивает сигналы, передаваемые во время обмена данными, с целью повышения скорости. Технология сравнима с увеличением количества полос на скоростной автомагистрали, чтобы помочь автомобилям двигаться быстрее.

«SK hynix улучшила структуру транзисторов, чтобы снизить вероятность ошибок данных, а также проблемы, связанные с минимизацией технологии. Компания также добавила источник питания с низким энергопотреблением в схему, чтобы предотвратить ненужное энергопотребление», — сказал чипмейкер.

Проьзводитель чипов также заявил, что расширит сферу применения чипов, производимых с помощью 10-нанометрового техпроцесса, охватывающих настольные компьютеры, серверы и мобильные устройства.